화상 처리 장치, 방법, 및 하전 입자 현미경

• Main Authors: OHASHI TAKEYOSHI, SHINTANI ATSUKO, IKOTA MASAMI, HASUMI KAZUHISA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 28.02.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY; MEASURING; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS; MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS; PHYSICS; TESTING

비파괴 검사에 의해, 부족 성장 상태로부터 과잉 성장 상태에 걸친 폭넓은 영역에서, 결정 성장량을 정량적으로 평가한다. SEM 화상으로부터 추출한 패턴 휘도, 패턴 면적, 패턴 형상 등의 복수의 화상 특징량을 이용해서, 패턴 내의 휘도가 패턴 외의 휘도보다 낮은지의 여부(401)에 의해, 부족 성장, 과잉 성장의 판단(402, 405) 등을 행하고, 휘도차 혹은 패턴 면적에 의해, 홀 패턴 또는 트렌치 패턴 등의 오목 형상 패턴에 있어서의 결정 성장의 성장량 지표 혹은 정상도 지표를 산출한다(404, 407). An object of the invention is to quantitatively evaluate crystal growth amount in a wide range from an undergrowth state to an overgrowth state with nondestructive inspection. By using a plenty of image feature values such as pattern brightness, a pattern area and a pattern shape which are extracted from an SEM image, and depending on whether brightness inside a pattern is lower than brightness outside the pattern (401), undergrowth and overgrowth is determined (402, 405). Based on a brightness difference or the pattern area, a growth amount index or a normality index of crystal growth in a concave pattern such as a hole pattern or a trench pattern is calculated (404, 407).