APPARATUS FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF SUBSTRATE APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE COMPRISING THE SAME AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE

• Main Authors: KONG BYEONG HYEON, JU YUNSIK, SEO SANGBO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 21.02.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes: a chamber having a processing space therein; a gas supply unit supplying gas to the chamber; plasma power applying RF power for generating plasma from the gas supplied to the chamber; a support plate positioned in the chamber and supporting the substrate; a plurality of heating units installed in an area different from each other of the support plate to heat the substrate; and a control part controlling the plurality of heating units and controlling the substrate at predetermined temperature, wherein the control part includes: a plurality of controllers respectively corresponding to one of a plurality of process steps; and a switching part switching one of the plurality of controllers so that one of the plurality of controllers controls the plurality of heating units in accordance with a process performed in the chamber. 기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 갖는 챔버, 챔버로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 챔버로 공급되는 가스로부터 플라즈마를 발생시키기 위한 RF 전원을 인가하는 플라즈마 전원, 챔버 내에 위치하고 기판을 지지하는 지지판, 지지판의 서로 다른 영역에 설치되어 기판을 가열하는 복수의 가열 유닛 및 복수의 가열 유닛을 제어하여 기판을 기설정된 온도로 제어하는 제어부를 포함하되, 제어부는, 복수의 공정 단계 중 어느 하나에 각각 대응되는 복수의 제어기 및 챔버에서 수행되는 공정에 따라, 복수의 제어기 중 어느 하나가 복수의 가열 유닛을 제어하도록 스위칭하는 스위칭부를 포함한다.