HEMT HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR HEMT DEVICE AND METHOD OF FORMING SAME

• Main Authors: CHEN CHING YU, YEH CHIA LING
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.01.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a high electron mobility transistor (HEMT) device and a method for forming the same. The method includes a step of forming a first III-V compound layer on a substrate. A second III-V compound layer is formed on the first III-V compound layer. The second III-V compound layer has a greater band gap than that of the first III-V compound layer. A third III-V compound layer is formed on the second III-V compound layer. The third III-V compound layer and the first III-V compound layer include the same III-V compound. A passivation layer is formed along an uppermost surface and sidewalls of the third III-V compound layer. A fourth III-V compound layer is formed on the second III-V compound layer. The fourth III-V compound layer has a greater band gap than that of the first III-V compound layer. 고 전자 이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor; HEMT) 디바이스 및 그 형성 방법이 제공된다. 방법은 기판 위에 제1 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 층을 형성하는 단계를 포함한다. 제2 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 층은 제1 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 층 위에 형성된다. 제2 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 층은 제1 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 층보다 큰 밴드 갭을 갖는다. 제3 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 층은 제2 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 층 위에 형성된다. 제3 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 층 및 제1 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 층은 동일 Ⅲ-Ⅴ족 화합물을 포함한다. 패시베이션 층은 제3 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 층의 최상면 및 측벽을 따라 형성된다. 제4 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 층은 제2 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 층 위에 형성된다. 제4 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 층은 제1 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 층보다 큰 밴드 갭을 갖는다.