특히 전면 타입 이미저를 위한 절연체 상 반도체 타입 구조, 및 그러한 구조를 제조하는 방법

• Main Authors: ECARNOT LUDOVIC, KONONCHUK OLEG, SCHWARZENBACH WALTER
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 30.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은, 특히 전면 타입 이미저를 위한 절연체 상 반도체 타입 구조에 관한 것이며, 그 구조는, 절연체 상 반도체 타입 구조의 배면으로부터 전면까지, 반도체 지지 기판(1), 전기 절연 층(2), 및 활성 층으로 호칭되는 단결정질 반도체 층(3)을 연속적으로 포함하며, 활성 층(3)은 지지 기판(1)에 대하여 기계적 응력의 상태를 갖는 반도체 재료로 제조되고, 지지 기판(1)은 지지 기판(1)의 배면 상에 실리콘 산화물 층(4)을 포함하고, 산화물 층(4)의 두께는, 에피택시에 의해 지지 기판 상에 활성 층(3)의 적어도 일부를 형성한 후의 구조의 냉각 동안, 활성 층과 지지 기판 사이의 기계적 응력에 의해 유발되는 휨을 보상하도록 선택되는 것을 특징으로 한다. A semiconductor on insulator type structure, which may be used for a front side type imager, successively comprises, from its rear side to its front side, a semiconductor support substrate, an electrically insulating layer and an active layer comprising a monocrystalline semiconductor material. The active layer is made of a semiconductor material having a state of mechanical stress with respect to the support substrate, and the support substrate comprises, on its rear side, a silicon oxide layer, the thickness of the oxide layer being chosen to compensate bow induced by the mechanical stress between the active layer and the support substrate during cooling of the structure after the formation by epitaxy of at least a part of the active layer on the support substrate.