METHOD OF DEPOSITING A CO-DOPED POLYSILICON FILM ON A SURFACE OF A SUBSTRATE WITHIN A REACTION CHAMBER

• Main Authors: KOHEN DAVID, TOLLE JOHN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method of depositing a co-doped polysilicon film on the surface of a substrate in a reaction chamber is provided. The method may include: a step of heating the substrate to a deposition temperature of less than 550°C; a step of allowing the substrate to simultaneously touch a silicon precursor, an n-type dopant precursor, and a p-type dopant precursor; and a step of depositing a co-doped polysilicon film on the surface of the substrate. A related semiconductor structure is also disclosed. A polysilicon film can be deposited at a reduced deposition temperature. 반응 챔버 내 기판의 표면 상에 코도핑된 폴리실리콘막을 증착하는 방법이 제공된다. 방법은 550°C 미만의 증착 온도로 기판을 가열하는 단계; 기판을 실리콘 전구체, n형 도펀트 전구체, 및 p형 도펀트 전구체와 동시에 접촉시키는 단계; 및 기판의 표면 상에 코도핑된 폴리실리콘막을 증착하는 단계를 포함할 수 있다. 관련 반도체 구조도 개시된다.