상호 접속 구조체 및 그 형성 방법

• Main Authors: LEUSINK GERRIT J, YU KAI HUNG, SMITH JEFFREY, CHAE SOO DOO, CLARK ROBERT D
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 29.08.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 디바이스가 제공된다. 반도체 디바이스는 유전체 재료 내에 형성된 복수의 상호 접속 개구를 포함할 수 있다. 본 명세서에 개시된 상호 접속 개구는 트렌치 개구, 비아 개구 또는 이중 다마신 개구를 가질 수 있다. 제1 금속은 상호 접속 개구 내에 컨포멀하게 충전될 수 있고 유전체 재료와 직접 접촉할 수 있다. 반도체 디바이스는 또한 상호 접속 개구 내에 충전되는 제2 금속을 가질 수 있다. 제2 금속은 제1 금속 위에 형성되고 제1 금속에 의해 캡슐화되어 상호 접속 개구 내에 상호 접속 구조체를 형성할 수 있다. 반도체 디바이스는 유전체 재료 내에 형성된 복수의 도전성 층을 더 포함할 수 있고, 도전성 층은 상호 접속 구조체의 바닥에 있을 수 있고 상호 접속 구조체와 직접 접촉할 수 있다. A semiconductor device is provided. The semiconductor device can have a substrate including dielectric material. A plurality of narrow interconnect openings can be formed within said dielectric material. In addition, a plurality of wide interconnect openings can be formed within said dielectric material. The semiconductor device can include a first metal filling the narrow interconnect openings to form an interconnect structure and conformally covering a surface of the wide interconnect openings formed in the dielectric material, and a second metal formed over the first metal and encapsulated by the first metal to form another interconnect structure within the wide interconnect openings.