CONTACT FORMATION METHOD AND RELATED STRUCTURE

• Main Authors: WANG MEI YUN, CHAO KUO YI, WANG CHAO HSUN, HSUEH WANG JUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.06.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed are a method for forming a via-first metal gate contact and a structure thereof. The method includes a step of depositing a first dielectric layer over a substrate having a gate structure with a metal gate layer. An opening is formed within the first dielectric layer to expose a portion of the substrate adjacent to the gate structure and a first metal layer is deposited within the opening. A second dielectric layer is deposited over the first dielectric layer and over the first metal layer. The first and second dielectric layers are etched to form a gate via opening. The gate via opening exposes the metal gate layer. A portion of the second dielectric layer is removed to form a contact opening that exposes the first metal layer. The gate via and contact openings merge to form a composite opening. A second metal layer is deposited within the composite opening, thereby connecting the metal gate layer to the first metal layer. 비아 퍼스트 금속 게이트 컨택을 형성하기 위한 방법 및 구조는 금속 게이트층을 구비한 게이트 구조를 갖는 기판 위에 제1 유전체층을 퇴적하는 단계를 포함한다. 개구부가 제1 유전체층 내에 형성되어 게이트 구조에 인접한 기판의 일부를 노출하며, 제1 금속층이 그 개구부 내에 퇴적된다. 제2 유전체층이 제1 유전체층 위에 그리고 제1 금속층 위에 퇴적된다. 제1 및 제2 유전체층이 에칭되어 게이트 비아 개구부를 형성한다. 게이트 비아 개구부는 금속 게이트층을 노출한다. 제2 유전체층의 일부가 제거되어, 제1 금속층을 노출하는 컨택 개구부를 형성한다. 게이트 비아 및 컨택 개구부가 병합하여 합성 개구부를 형성한다. 제2 금속층이 합성 개구부 내에 퇴적되어 금속 게이트층을 제1 금속층에 접속시킨다.