PLASMA PROCESSING APPARATUS

• Main Author: ITOU SATOSHI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.05.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

According to the present invention, discharge, generated in a high-frequency antenna, is suppressed. A plasma processing device (10) comprises a chamber (11), a gas source (44), an antenna (54), and a plurality of holding portions (55). The chamber (11) has a space therein, and processes a semiconductor wafer (W) loaded into the space by plasma generated in the space. The gas source (44) supplies a processing gas to the space of the chamber (11). The antenna (54) has a line (540) wound two or more times, and generates plasma in the space by an induced electric field formed in the space of the chamber (11) by a current flowing in the line (540). Each holding portion (55) holds the line (540) of the antenna (54). In addition, the holding portion (55) is disposed in the line (540) of the antenna (54), to form a distance equal to or more than a predetermined distance between another holding portion (55) adjacent thereto. [과제] 고주파 안테나에 발생하는 방전을 억제한다. [해결 수단] 플라즈마 처리 장치(10)는, 챔버(11)와, 가스 공급원(44)과, 안테나(54)와, 복수의 유지부(55)를 구비한다. 챔버(11)는 내부에 공간을 갖고, 공간 내에 생성된 플라즈마에 의해 공간 내에 반입된 반도체 웨이퍼(W)를 처리한다. 가스 공급원(44)은 챔버(11)의 공간 내에 처리 가스를 공급한다. 안테나(54)는 2바퀴 이상 귄회된 선로(540)를 갖고, 선로(540)를 흐르는 전류에 의해 챔버(11)의 공간 내에 형성된 유도 전계에 의해 공간 내에 플라즈마를 생성한다. 각각의 유지부(55)는, 안테나(54)의 선로(540)를 유지한다. 또한, 유지부(55)는 인접하는 다른 유지부(55)와의 사이에 소정 거리 이상의 간격이 형성되도록, 안테나(54)의 선로(540)에 배치되어 있다.