반도체 장치의 제작 방법

• Main Authors: IDOJIRI SATORU, SATO MASATAKA, YAMAZAKI SHUNPEI, YANAKA JUNPEI, IKEZAWA NAOKI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.04.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 장치의 제작 공정의 수율을 높인다. 반도체 장치의 생산성을 높인다. 기판 위에 제 1 재료층을 형성하고, 제 1 재료층 위에 제 2 재료층을 형성하고, 제 1 재료층과 제 2 재료층을 서로 분리하여, 반도체 장치를 제작한다. 또한 분리 전에 제 1 재료층과 제 2 재료층을 포함하는 적층을 가열하는 것이 바람직하다. 제 1 재료층은 수소, 산소, 및 물 중 하나 이상을 포함한다. 제 1 재료층은 예를 들어 금속 산화물을 포함한다. 제 2 재료층은 수지(예를 들어 폴리이미드 또는 아크릴)를 포함한다. 제 1 재료층과 제 2 재료층은 수소 결합을 절단함으로써 서로 분리한다. 제 1 재료층과 제 2 재료층은, 가열에 의하여 제 1 재료층과 제 2 재료층 사이의 계면 또는 그 계면의 근방에서 석출된 물을 광으로 조사하는 식으로 서로 분리한다. The yield of a manufacturing process of a semiconductor device is increased. The productivity of a semiconductor device is increased. A first material layer is formed over a substrate, a second material layer is formed over the first material layer, and the first material layer and the second material layer are separated from each other, so that a semiconductor device is manufactured. In addition, a stack including the first material layer and the second material layer is preferably heated before the separation. The first material layer includes one or more of hydrogen, oxygen, and water. The first material layer includes a metal oxide, for example. The second material layer includes a resin (e.g., polyimide or acrylic). The first material layer and the second material layer are separated from each other by cutting a hydrogen bond. The first material layer and the second material layer are separated from each other in such a manner that water separated out by heat treatment at an interface between the first material layer and the second material layer or in the vicinity of the interface is irradiated with light.