SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

• Main Authors: INADA TAKAO, OHNO HIROKI, SATO HIDEAKI, KAWANO HISASHI, NISHIWAKI YOSHINORI, OTSU TAKAHIKO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.04.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a substrate processing apparatus and a substrate processing method, which improve selectivity of etching a silicon nitride layer and suppress precipitation of silicon oxide. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus has a substrate processing tank, a phosphoric acid processing liquid supply unit, a circuit, a SiO_2 precipitation preventing agent supply unit, and a mixing unit. The phosphoric acid processing liquid supply unit supplies phosphoric acid processing liquid used for etching processing about the substrate processing tank. The circuit circulates the phosphoric acid processing liquid supplied to the substrate processing tank. The SiO_2 precipitation preventing agent supply unit supplies SiO_2 precipitation preventing agent to the circuit. The mixing unit mixes compounds containing silicon with the phosphoric acid processing liquid before being supplied to the circuit. 실리콘 질화막을 에칭하는 선택성을 향상시키면서, 실리콘 산화물의 석출을 억제하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판 처리조와, 인산 처리액 공급부와, 순환로와, SiO석출 방지제 공급부와, 혼합부를 구비한다. 인산 처리액 공급부는 기판 처리조에 있어서의 에칭 처리에서 사용되는 인산 처리액을 공급한다. 순환로는 기판 처리조로 공급된 인산 처리액을 순환시킨다. SiO석출 방지제 공급부는 순환로로 SiO석출 방지제를 공급한다. 혼합부는 순환로로 공급되기 전의 인산 처리액에 실리콘 함유 화합물을 혼합한다.