주입 그리고 기판으로부터 분리에 의해 얻어진 층 내의 결함들을 치유하는 방법

• Main Author: GHYSELEN BRUNO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 11.02.2019
• Subjects: ELECTRICITY

본 발명은 조성 ABO의 층(10) 내의 결함들을 치유하는 방법에 관한 것으로서, A는 Li, Na, K, H, Ca, Mg, Ba, Sr, Pb, La, Bi, Y, Dy, Gd, Tb, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Ho, Zr, Sc, Ag, Tl으로부터 선택된 적어도 하나의 원소로 구성되고, B는 Nb, Ta, Sb, Ti, Zr, Sn, Ru, Fe, V, Sc, C, Ga, Al, Si, Mn, Zr, Tl으로부터 선택된 적어도 하나의 원소로 구성되며, 상기 층(10)은, 이온 종들이 상기 층을 묘사하는 취약화 영역을 형성하도록 조성 ABO의 기판(100)으로 주입되고, 이어서 상기 기판이 도너 기판의 나머지로부터 분리된 층(10)을 얻기 위하여 상기 취약화 영역을 따라 분리되는, 층 전사 방법에 의해 얻어지며, 상기 방법은 상기 층(10)을 구성요소 원소 A의 이온들을 함유하는 매체(M)에 노출시켜서 상기 이온들이 전사되는 층으로 침투하게 하는 단계를 포함한다. A method for treating a layer of composition ABO3, wherein A is a first material composition consisting of at least one element selected from the group consisting of: Li, Na, K, H, Ca, Mg, Ba, Sr, Pb, La, Bi, Y, Dy, Gd, Tb, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Ho, Zr, Sc, Ag, and Tl, and wherein B is a second material composition consisting of at least one element selected from the group consisting of: Nb, Ta, Sb, Ti, Zr, Sn, Ru, Fe, V, Sc, C, Ga, Al, Si, Mn, Zr, and Tl, is described. The method includes implanting an ionic species into a donor substrate of the composition ABO3, thereby forming a weakened zone delineating the layer, detaching the layer from the donor substrate along the weakened zone, and exposing the detached layer to a medium containing ions of a constituent element A, such that the ions penetrate into the layer.