3D NAND 메모리 디바이스들을 위한 CVD 기반 산화물-금속 다중 구조물

• Main Authors: CHAN KELVIN, LE HIEN MINH, GANDIKOTA SRINIVAS, JANAKIRAMAN KARTHIK, SINGHA ROY SUSMIT, KAMATH SANJAY, MALLICK ABHIJIT BASU
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 07.02.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본원에서 설명되는 구현들은 일반적으로, 금속 층을 형성하기 위한 방법, 및 금속 층 상에 산화물 층을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 일 구현에서, 금속 층은 시드 층 상에 형성되며, 시드 층은, 금속 층의 전도율에 영향을 미치지 않으면서, 작은 결정 입도로, 금속 층 내의 금속이 핵을 형성하는 것을 돕는다. 금속 층은 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)을 사용하여 형성될 수 있으며, 전구체 가스들과 함께 질소 가스가 프로세싱 챔버 내로 유동될 수 있다. 다른 구현에서, 후속 산화물 층 증착 프로세스 동안 금속 층이 산화되는 것을 방지하기 위해, 배리어 층이 금속 층 상에 형성된다. 다른 구현에서, 금속 층이 산화되는 것을 방지하기 위해, 산화물 층의 증착 전에 금속 층이 처리된다. Implementations described herein generally relate to a method for forming a metal layer and to a method for forming an oxide layer on the metal layer. In one implementation, the metal layer is formed on a seed layer, and the seed layer helps the metal in the metal layer nucleate with small grain size without affecting the conductivity of the metal layer. The metal layer may be formed using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and nitrogen gas may be flowed into the processing chamber along with the precursor gases. In another implementation, a barrier layer is formed on the metal layer in order to prevent the metal layer from being oxidized during subsequent oxide layer deposition process. In another implementation, the metal layer is treated prior to the deposition of the oxide layer in order to prevent the metal layer from being oxidized.