쓰루-몰드 냉각 채널을 가진 반도체 디바이스 어셈블리

스택된 반도체 다이를 가진 반도체 디바이스 어셈블리 및 증기 챔버를 포함하는 열전달 디바이스가 본원에서 개시된다. 일 실시예에서, 반도체 디바이스 어셈블리는 베이스 영역을 가진 제1 반도체 다이, 상기 베이스 영역에서의 적어도 하나의 제2 반도체 다이 및 제1 및 제2 다이에 부착된 열전달 디바이스를 포함한다. 열전달 디바이스는 제2 다이를 적어도 부분적으로 둘러싸는 인캡슐런트 및 상기 인캡슐런트 내에 형성된 비아를 포함한다. 인캡슐런트는 제1 다이의 주변 영역에 인집한 냉각 채널을 적어도 부분적으로 형성한다. 비아는 채널을 적어도...

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Main Authors GANDHI JASPREET S, LI XIAO, BITZ BRADLEY R
Format Patent
LanguageKorean
Published 14.01.2019
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Abstract 스택된 반도체 다이를 가진 반도체 디바이스 어셈블리 및 증기 챔버를 포함하는 열전달 디바이스가 본원에서 개시된다. 일 실시예에서, 반도체 디바이스 어셈블리는 베이스 영역을 가진 제1 반도체 다이, 상기 베이스 영역에서의 적어도 하나의 제2 반도체 다이 및 제1 및 제2 다이에 부착된 열전달 디바이스를 포함한다. 열전달 디바이스는 제2 다이를 적어도 부분적으로 둘러싸는 인캡슐런트 및 상기 인캡슐런트 내에 형성된 비아를 포함한다. 인캡슐런트는 제1 다이의 주변 영역에 인집한 냉각 채널을 적어도 부분적으로 형성한다. 비아는 채널을 적어도 부분적으로 채우는 동작 유체 및/또는 고체 열전도체를 포함한다. Semiconductor device assemblies having stacked semiconductor dies and thermal transfer devices that include vapor chambers are disclosed herein. In one embodiment, a semiconductor device assembly includes a first semiconductor die having a base region, at least one second semiconductor die at the base region, and a thermal transfer device attached to the first and second dies. The thermal transfer device includes an encapsulant at least partially surrounding the second die and a via formed in the encapsulant. The encapsulant at least partially defines a cooling channel that is adjacent to a peripheral region of the first die. The via includes a working fluid and/or a solid thermal conductor that at least partially fills the channel.
AbstractList 스택된 반도체 다이를 가진 반도체 디바이스 어셈블리 및 증기 챔버를 포함하는 열전달 디바이스가 본원에서 개시된다. 일 실시예에서, 반도체 디바이스 어셈블리는 베이스 영역을 가진 제1 반도체 다이, 상기 베이스 영역에서의 적어도 하나의 제2 반도체 다이 및 제1 및 제2 다이에 부착된 열전달 디바이스를 포함한다. 열전달 디바이스는 제2 다이를 적어도 부분적으로 둘러싸는 인캡슐런트 및 상기 인캡슐런트 내에 형성된 비아를 포함한다. 인캡슐런트는 제1 다이의 주변 영역에 인집한 냉각 채널을 적어도 부분적으로 형성한다. 비아는 채널을 적어도 부분적으로 채우는 동작 유체 및/또는 고체 열전도체를 포함한다. Semiconductor device assemblies having stacked semiconductor dies and thermal transfer devices that include vapor chambers are disclosed herein. In one embodiment, a semiconductor device assembly includes a first semiconductor die having a base region, at least one second semiconductor die at the base region, and a thermal transfer device attached to the first and second dies. The thermal transfer device includes an encapsulant at least partially surrounding the second die and a via formed in the encapsulant. The encapsulant at least partially defines a cooling channel that is adjacent to a peripheral region of the first die. The via includes a working fluid and/or a solid thermal conductor that at least partially fills the channel.
Author BITZ BRADLEY R
GANDHI JASPREET S
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