반도체 처리 챔버

• Main Authors: MERCHANT NIRAJ, HUNTER AARON MUIR, IU DONGMING, BEHDJAT MEHRAN, HAWRYLCHAK LARA, MCALLISTER DOUGLAS R, CHAN KONG LUNG SAMUEL
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 16.11.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

벽을 갖는 본체 - 벽은 본체 내에 2개의 처리 챔버들을 한정함 -; 2개의 처리 챔버들 사이에 유체 결합을 형성하는, 벽을 통하는 통로; 본체에 제거가능하게 결합된 덮개 - 덮개는 통로와 유체 연통하는 관문을 가짐 -; 처리 챔버들 외부에서 덮개에 결합된 가스 활성화기 - 가스 활성화기는 덮개의 관문과 유체 연통하는 배출구를 가짐 -; 각각의 처리 챔버에 배치된 기판 지지부 - 각각의 기판 지지부는, 각각 매립된 가열 요소를 갖는 적어도 2개의 가열 구역들을 가짐 -; 각각의 기판 지지부를 향하는, 덮개에 결합된 가스 분배기; 및 각각의 가스 분배기의 에지에서 덮개에 결합된 열 제어 부재를 갖는 반도체 처리 장치가 설명된다. A semiconductor processing apparatus is described that has a body with a wall defining two processing chambers within the body; a passage through the wall forming a fluid coupling between the two processing chambers; a lid removably coupled to the body, the lid having a portal in fluid communication with the passage; a gas activator coupled to the lid outside the processing chambers, the gas activator having an outlet in fluid communication with the portal of the lid; a substrate support disposed in each processing chamber, each substrate support having at least two heating zones, each with an embedded heating element; a gas distributor coupled to the lid facing each substrate support; and a thermal control member coupled to the lid at an edge of each gas distributor.