Semiconductor device

• Main Authors: SHARMA DEEPAK, YANG, JAE SEOK, RANJAN RAJEEV, KUCHANURI SUBHASH, CHUN, KWAN YOUNG, PARK, CHUL HONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.04.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a semiconductor device capable of ensuring a power rail with a sufficient width and increasing a degree of integration by including a unidirectional wire structure and a cross-gate contact structure. The semiconductor device comprises: a first active area extending on the substrate in a first direction; a first gate electrode and a second gate electrode extending in a second direction intersecting the first direction and spaced apart from each other; a first impurity area disposed at one side of the first gate electrode in the first active area; a second impurity area disposed at the other side of the first gate electrode and at one side of the second gate electrode in the first active region; a third impurity area disposed at the other side of the second gate electrode in the first active area; a cross-gate contact electrically connecting the first and second impurity areas across the first gate electrode; a first contact connected to the third impurity area; a first wire electrically connected to the cross-gate contact and only extending in the first direction; and a second wire electrically connected to the first contact, extending only in the first direction, and disposed on the same line as the first wire. 본 발명은 단방향(uni-directional)의 배선 구조와, 크로스 게이트 컨택(cross-gate contect) 구조를 포함함으로써, 충분한 폭의 파워 레일을 확보하고, 집적도를 높일 수 있는 레이아웃을 갖는 반도체 장치를 제공하기 것이다. 상기 반도체 장치는, 기판 상에 제1 방향으로 연장되는 제1 액티브 영역, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고 서로 이격되는 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극, 상기 제1 액티브 영역에서 상기 제1 게이트 전극의 일측에 배치되는 제1 불순물 영역, 상기 제1 액티브 영역에서 상기 제1 게이트 전극의 타측 및 상기 제2 게이트 전극의 일측에 배치되는 제2 불순물 영역, 상기 제1 액티브 영역에서 상기 제2 게이트 전극의 타측에 배치되는 제3 불순물 영역, 상기 제1 게이트 전극을 가로 질러, 상기 제1 불순물 영역과 상기 제2 불순물 영역을 전기적으로 연결하는 크로스 게이트 컨택, 상기 제3 불순물 영역에 접속되는 제1 컨택, 상기 크로스 게이트 컨택과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 방향으로만 연장되는 제1 배선, 및 상기 제1 컨택과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 방향으로만 연장되며 상기 제1 배선과 동일 선상에 배치되는 제2 배선을 포함한다.