극성 매트릭스 및 금속 도펀트를 포함하는 유기 발광 디바이스

• Main Authors: KALISZ TOMAS, ROTHE CARSTEN, DENKER ULRICH, SENKOVSKYY VOLODYMYR
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 23.02.2018
• Subjects: ELECTRICITY

본 발명은 애노드(anode)와 캐소드(cathode) 사이에 적어도 하나의 발광 층을 포함하는 전자 디바이스(electronic device)로서, 디바이스가 캐소드와 애노드 사이에, (i) 실질적으로 원소 형태의, Li, Na, K, Be, Sc, Y, La, Lu, Ti 및 V로부터 선택된 양전성 원소(electropositive element), 및 (ii) 포스핀 옥사이드 기(phosphine oxide group), 및 디아졸 기로부터 선택된 적어도 하나의 극성 기를 포함하는 적어도 하나의 실질적 공유 전자 수송 매트릭스 화합물을 포함하는, 적어도 하나의 혼합 층을 추가로 포함하고, 포스핀 옥사이드를 포함하는 경우, 전자 수송 매트릭스 화합물의 환원 전위가, 동일한 조건 하에서 순환 전압 전류법(cyclic voltammetry)에 의해 측정되는 경우, 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린에 대해 얻어진 값보다 더욱 네가티브이고, 바람직하게는 (9-페닐-9H-카바졸-2,7-디일)비스(디페닐포스핀 옥사이드)에 대해서보다 더욱 네가티브이고, 더욱 바람직하게는 (9,9-디헥실-9H-플루오렌-2,7-디일)비스(디페닐포스핀 옥사이드)에 대해서보다 더욱 네가티브이고, 매우 바람직하게는 1,3,5-트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸-2-일)벤젠에 대해서보다 더욱 네가티브이고, 더욱 더 바람직하게는 3-페닐-3H-벤조[b]디나프토[2,1-d:1',2'-f]포스페핀-3-옥사이드에 대해서보다 더욱 네가티브이고, 가장 바람직하게는 피렌에 대해서보다 더욱 네가티브이고, 여전히 바람직하게는 [1,1'-바이나프탈렌]-2,2'-디일비스(디페닐포스핀 옥사이드)에 대해서보다 더욱 네가티브인 값을 갖고, 디아졸 기를 포함하는 경우, 실질적 공유 전자 수송 매트릭스 화합물의 환원 전위가, 동일한 조건 하에서 순환 전압 전류법에 의해 측정되는 경우, 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린에 대해 얻어진 값보다 더욱 네가티브이고, 바람직하게는 (9-페닐-9H-카바졸-2,7-디일)비스(디페닐포스핀 옥사이드)에 대해서보다 더욱 네가티브이고, 더욱 바람직하게는 (9,9-디헥실-9H-플루오렌-2,7-디일)비스(디페닐포스핀 옥사이드)에 대해서보다 더욱 네가티브이고, 매우 바람직하게는 1,3,5-트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸-2-일)벤젠에 대해서보다 더욱 네가티브이고, 더욱 더 바람직하게는 3-페닐-3H-벤조[b]디나프토[2,1-d:1',2'-f]포스페핀-3-옥사이드에 대해서보다 더욱 네가티브이고, 가장 바람직하게는 피렌에 대해서보다 더욱 네가티브이고, 여전히 바람직하게는 [1,1'-바이나프탈렌]-2,2'-디일비스(디페닐포스핀 옥사이드)에 대해서보다 더욱 네가티브인 값을 갖는 전자 디바이스, 이를 제조하는 방법, 및 그 안에 포함되는 화합물에 관한 것이다. The invention relates to a semiconducting material comprising (i) in substantially elemental form, an electropositive element selected from alkaline metals, alkaline earth metals, rare earth metals, and transition metals, and (ii) at least one first compound which is a compound comprising at least one polar group selected from phosphine oxide group or diazole group; a process for manufacturing the semiconducting material; an electronic device comprising a cathode, an anode and the semiconducting material.