측벽 공극 밀봉 및 비아 청결을 위한 상호접속부 집적

• Main Authors: KUMAR BHASKAR, DASH PRIYANKA, NAIK MEHUL B, REN HE, PADHI DEENESH, DEMOS ALEXANDROS T
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 06.02.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

다공성 로우-k 유전체 필름들을 밀봉하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 기판을 UV 복사 및 제1 반응성 가스에 노출시키는 단계 - 기판은 내부에 정의된 개방 피쳐를 갖고, 개방 피쳐는 다공성 로우-k 유전체 층 및 전도체 재료에 의해 정의되고, 다공성 로우-k 유전체 층은 실리콘 및 탄소 함유 재료임 - ; 및 UV 보조 광화학적 기상 증착을 이용하여 다공성 로우-k 유전체 층의 노출된 표면들 상에서 개방 피쳐 내에 공극 밀봉 층을 선택적으로 형성하는 단계를 포함한다. A method for sealing porous low-k dielectric films is provided. The method comprises exposing a substrate to UV radiation and a first reactive gas, wherein the substrate has an open feature defined therein, the open feature defined by a porous low-k dielectric layer and a conductive material, wherein the porous low-k dielectric layer is a silicon and carbon containing material and selectively forming a pore sealing layer in the open feature on exposed surfaces of the porous low-k dielectric layer using UV assisted photochemical vapor deposition.