클리닝 방법 및 플라즈마 처리 방법

• Main Authors: KANG SONG YUN, OHISHI TETSUYA, SHIMODA KEIICHI, KUBO TAKUYA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.01.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLEANING; CLEANING IN GENERAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PERFORMING OPERATIONS; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

금속을 포함하는 막을 에칭하는 기판 처리 장치를 클리닝하는 방법으로서, 수소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 카본 함유 퇴적물을 제거하는 제 1 클리닝 공정과, 상기 제 1 클리닝 공정 후에 불활성 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 금속 함유 퇴적물을 제거하는 제 2 클리닝 공정과, 상기 제 2 클리닝 공정 후에 불소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해 실리콘 함유 퇴적물을 제거하는 제 3 클리닝 공정을 갖는 클리닝 방법이 제공된다. A method of cleaning a substrate processing apparatus that etches a film including a metal includes (a) providing an inert gas, and removing a metal-containing deposition by plasma generated from the inert gas; and (b) after (a), providing a gas containing a fluorine-containing gas and an oxygen-containing gas, and removing a silicon-containing deposition by plasma generated from the gas containing the fluorine-containing gas and the oxygen-containing gas.