포스핀 옥사이드 매트릭스 및 금속염을 포함하는 반도체성 물질

• Main Authors: FREY JULIEN, GRAF KATJA, JANKUS VYGINTAS, HEGGEMANN ULRICH, PAVICIC DOMAGOJ, CARDINALI FRANCOIS, FADHEL OMRANE, ROTHE CARSTEN, DENKER ULRICH
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 12.12.2017
• Subjects: ELECTRICITY

본 발명은 반도체성 물질에 관한 것이며, 상기 반도체성 물질은: i) 식 (I)에 따른 화합물:상기 식 (I)에서, R,R및 R은 독립적으로, C-C-알킬, C-C사이클로알킬, C-C헤테로알킬, C-C-아릴, C-C-헤테로아릴, C-C-알콕시, C-C-사이클로알킬옥시, C-C-아릴옥시, 및 일반식 E-A-를 가진 구조 단위로부터 선택되며, 상기 일반식 E-A-에서, A는 C-C페닐렌 스페이서 단위이고, E는 C-C아릴, 및 독립적으로 O, S, P, Si 및 B로부터 선택되는 6개 이하의 헤테로원자를 포함하는 C-C헤테로아릴로부터 선택되고, 10개 이상의 비편재화된 전자로 된 컨쥬게이트된 시스템을 포함하는 전자 수송 단위이고, R,R및R으로부터 선택되는 하나 이상의 기는 일반식 E-A-를 가지고; 및 ii) 식 (II)를 가진 1가 금속의 하나 이상의 착화합물을 포함한다:상기 식 (II)에서, M는 단일 기본 전하(elementary charge)를 가진 금속 양이온이고, A, A, A및 A는 각각 독립적으로, H, 치환된 또는 비치환된 C-C아릴 및 치환된 또는 비치환된 C-C헤테로아릴로부터 선택되며, 여기서, 치환된 또는 비치환된 C-C헤테로아릴의 5개 이상의 고리-형성 원자의 헤테로아릴 고리는 O, S 및 N으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자를 포함한다. The present invention is directed to a semiconducting material comprising: a compound according to formula (I): wherein R 1 , R 2 and R 3 are independently selected from C 1 -C 30 -alkyl, C 3 -C 30 cycloalkyl, C 2 -C 30 -heteroalkyl, C 6 -C 30 -aryl, C 2 -C 30 -heteroaryl, C 1 -C 30 -alkoxy, C 3 -C 30 -cycloalkyloxy, C 6 -C 30 -aryloxy, and from structural unit having general formula E-A-, wherein - A is a C 6 -C 30 phenylene spacer unit, and - E is an electron transporting unit that is selected from C 10 -C 60 aryl and C 6 -C 60 heteroaryl comprising up to 6 heteroatoms independently selected from O, S, P, Si and B and that comprises a conjugated system of at least 10 delocalized electrons, and - at least one group selected from R 1 , R 2 and R 3 has the general formula E-A-; and i) at least one complex of a monovalent metal having formula (II): wherein - M + is a positive metal ion bearing a single elementary charge, and each of A 1 , A 2 , A 3 and A 4 is independently selected from H, substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl and substituted or unsubstituted C 2 -C 20 heteroaryl, wherein a heteroaryl ring of at least 5 ring-forming atoms of the substituted or unsubstituted C 2 -C 20 heteroaryl comprises at least one hetero atom selected from O, S and N.