METHOD OF USING A SURFACTANT-CONTAINING SHRINKAGE MATERIAL TO PREVENT PHOTORESIST PATTERN COLLAPSE CAUSED BY CAPILLARY FORCES

• Main Authors: TZENG KAI, WANG CHIH CHIEN, KUO CHING SEN, SHIU FENG JIA, CHIU WEI CHAO, CHANG CHUN WEI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.07.2017
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

제1 포토레지스트 패턴과 제2 포토레지스트 패턴이 기판 위에 형성된다. 제1 포토레지스트 패턴은 갭에 의해 제2 포토레지스트 패턴과 분리된다. 제1 및 제2 포토레지스트 패턴 상에 화학 혼합물이 코팅된다. 화학 혼합물은 화학 물질과 그 화학 물질 내에 혼합된 표면활성 입자를 함유한다. 화학 혼합물은 갭을 충전한다. 제1 및 제2 포토레지스트 패턴에 대해 베이킹 공정이 수행되며, 베이킹 공정은 갭이 수축되게 한다. 적어도 일부 표면활성 입자는 갭의 측벽 경계에 배치된다. 제1 및 제2 포토레지스트 패턴에 대해 현상 공정이 수행된다....