METHOD OF USING A SURFACTANT-CONTAINING SHRINKAGE MATERIAL TO PREVENT PHOTORESIST PATTERN COLLAPSE CAUSED BY CAPILLARY FORCES

• Main Authors: TZENG KAI, WANG CHIH CHIEN, KUO CHING SEN, SHIU FENG JIA, CHIU WEI CHAO, CHANG CHUN WEI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.07.2017
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

제1 포토레지스트 패턴과 제2 포토레지스트 패턴이 기판 위에 형성된다. 제1 포토레지스트 패턴은 갭에 의해 제2 포토레지스트 패턴과 분리된다. 제1 및 제2 포토레지스트 패턴 상에 화학 혼합물이 코팅된다. 화학 혼합물은 화학 물질과 그 화학 물질 내에 혼합된 표면활성 입자를 함유한다. 화학 혼합물은 갭을 충전한다. 제1 및 제2 포토레지스트 패턴에 대해 베이킹 공정이 수행되며, 베이킹 공정은 갭이 수축되게 한다. 적어도 일부 표면활성 입자는 갭의 측벽 경계에 배치된다. 제1 및 제2 포토레지스트 패턴에 대해 현상 공정이 수행된다. 현상 공정은 갭 내에서 그리고 포토레지스트 패턴 위에서 화학 혼합물을 제거한다. 갭의 측벽 경계에 배치된 표면활성 입자는 현상 공정중에 모세관 영향을 감소시킨다. A first photoresist pattern and a second photoresist pattern are formed over a substrate. The first photoresist pattern is separated from the second photoresist pattern by a gap. A chemical mixture is coated on the first and second photoresist patterns. The chemical mixture contains a chemical material and surfactant particles mixed into the chemical material. The chemical mixture fills the gap. A baking process is performed on the first and second photoresist patterns, the baking process causing the gap to shrink. At least some surfactant particles are disposed at sidewall boundaries of the gap. A developing process is performed on the first and second photoresist patterns. The developing process removes the chemical mixture in the gap and over the photoresist patterns. The surfactant particles disposed at sidewall boundaries of the gap reduce a capillary effect during the developing process.