RESIST COMPOSITION METHOD OF FORMING RESIST PATTERN AND COMPOUND
(과제) 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 화합물의 제공. (해결 수단) 노광에 의해 산을 발생하고, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 레지스트 조성물로서, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분과, 일반식 (d0) 으로 나타내는 화합물을 포함하는 광 염기 실활제 성분을 함유하는 레지스트 조성물. 지지체 상에, 상기 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 레지스트 패턴...
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Main Authors | , |
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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09.06.2017
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Abstract | (과제) 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 화합물의 제공. (해결 수단) 노광에 의해 산을 발생하고, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 레지스트 조성물로서, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분과, 일반식 (d0) 으로 나타내는 화합물을 포함하는 광 염기 실활제 성분을 함유하는 레지스트 조성물. 지지체 상에, 상기 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법. [식 (d0) 중, R및 R는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되는 C1 ∼ 20 의 사슬형, 분기사슬형, 고리형의 탄화수소기. 단, 카르보닐기 또는 술포닐기에 인접하는 탄소 원자에 결합하는 치환기는, 할로겐 원자를 갖는 기, 방향족기, 프로톤 억셉터성 관능기를 갖지 않는다. M는 m 가의 유기 카티온. m 은 1 이상의 정수.] [화학식 1]
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition, a method for forming a resist pattern, and a compound.SOLUTION: The resist composition generates an acid by exposure and exhibits changes in the solubility with a developer by an action of an acid, and comprises an acid generator component that generates an acid by exposure, and a photo-base deactivator component comprising a compound expressed by general formula (d0). The method for forming a resist pattern includes: a step of forming a resist film on a support body by using the above resist composition; a step of exposing the resist film; and a step of developing the resist film after exposure to form a resist pattern. In formula (d0), Rand Reach independently represent a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, however, a substituent bonded to a carbon atom adjoining to a carbonyl group or a sulfonyl group does not have any of a group having a halogen atom, an aromatic group and a proton acceptor functional group; Mrepresents an m-valent organic cation; and m is an integer of 1 or more.SELECTED DRAWING: None |
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AbstractList | (과제) 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 화합물의 제공. (해결 수단) 노광에 의해 산을 발생하고, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 레지스트 조성물로서, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분과, 일반식 (d0) 으로 나타내는 화합물을 포함하는 광 염기 실활제 성분을 함유하는 레지스트 조성물. 지지체 상에, 상기 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법. [식 (d0) 중, R및 R는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 되는 C1 ∼ 20 의 사슬형, 분기사슬형, 고리형의 탄화수소기. 단, 카르보닐기 또는 술포닐기에 인접하는 탄소 원자에 결합하는 치환기는, 할로겐 원자를 갖는 기, 방향족기, 프로톤 억셉터성 관능기를 갖지 않는다. M는 m 가의 유기 카티온. m 은 1 이상의 정수.] [화학식 1]
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition, a method for forming a resist pattern, and a compound.SOLUTION: The resist composition generates an acid by exposure and exhibits changes in the solubility with a developer by an action of an acid, and comprises an acid generator component that generates an acid by exposure, and a photo-base deactivator component comprising a compound expressed by general formula (d0). The method for forming a resist pattern includes: a step of forming a resist film on a support body by using the above resist composition; a step of exposing the resist film; and a step of developing the resist film after exposure to form a resist pattern. In formula (d0), Rand Reach independently represent a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, however, a substituent bonded to a carbon atom adjoining to a carbonyl group or a sulfonyl group does not have any of a group having a halogen atom, an aromatic group and a proton acceptor functional group; Mrepresents an m-valent organic cation; and m is an integer of 1 or more.SELECTED DRAWING: None |
Author | KAIHO TAKAAKI ARAI MASATOSHI |
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SubjectTerms | APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS |
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