COBALT DEPOSITION SELECTIVITY ON COPPER AND DIELECTRICS

• Main Authors: CHEN PHILIP S.H, HUNKS WILLIAM, LIPPY STEVEN, LIETEN RUBEN REMCO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 24.05.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

본 개시내용의 코발트 전구체를 휘발시켜 전구체 증기를 형성하는 단계; 및 전구체 증기로부터 기판 상에 코발트를 침착시키기에 효과적인 증착 조건 하에 전구체 증기를 기판과 접촉시키는 단계를 포함하며, 여기서 증착 조건은 200℃를 초과하지 않는 온도를 포함하고, 여기서 기판은 구리 표면 및 유전 물질, 예를 들어 초저 유전 물질을 포함하는 것인, 기판 상의 코발트 형성 방법이 개시된다. 이러한 코발트 침착 방법은, 침착 코발트가 캡핑 층, 캡슐화 층, 전극, 확산 층, 또는 그 위의 금속의 전기도금에 대한 시드를 형성하는 생성물 물품, 예를 들어 반도체 장치, 평판 디스플레이, 또는 태양 전지판의 제조에 사용될 수 있다. 염기 및 산화제 성분을 함유하는 세정 조성물을 사용하여 구리를 그 위의 코발트 침착 전에 세정하여, 침착 코발트에서의 실질적으로 감소된 결함을 달성할 수 있다. A process for forming cobalt on a substrate, comprising: volatilizing a cobalt precursor of the disclosure, to form, a precursor vapor: and contacting the precursor vapor with the substrate under vapor deposition conditions effective for depositing cobalt on the substrate from the precursor vapor, wherein the vapor deposition conditions include temperature not exceeding 200° C., wherein: the substrate includes copper surface and dielectric material, e.g., ultra-low dielectric material. Such cobalt deposition process can be used to manufacture product articles in which the deposited cobalt forms a capping layer, encapsulating layer, electrode, diffusion layer, or seed for electroplating of metal thereon, e.g., a semiconductor device, flat-panel, display, or solar panel. A cleaning composition containing base and oxidizing agent components may be employed to clean the copper prior to deposition of cobalt thereon, to achieve substantially reduced defects in the deposited cobalt.