A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: CHO, KEUN HWI, PARK, SUNG IL, KOO, BON WOONG, HA, DAE WON, HONG, BYOUNG HAK, CHANG, KYU BAIK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.02.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device includes a gate structure where a gate insulation film, a threshold voltage control film pattern, a gate electrode, and a hard mask are stacked on a substrate, a dummy gate structure which is formed to be separated from both sides of the gate structure and includes a first stressor pattern including titanium oxide, and P-type source/drain regions which are formed on both sides of the gate structure. The semiconductor device can obtain high electrical properties by applying strain to a channel region of a transistor by including the stressor pattern. 반도체 소자는, 기판 상에 게이트 절연막, 문턱 전압 조절막 패턴, 게이트 전극 및 하드 마스크가 적층된 게이트 구조물과, 상기 게이트 구조물의 양 측과 이격되어 구비되고, 티타늄 산화물을 포함하는 제1 스트레서 패턴을 포함하는 더미 게이트 구조물 및 상기 게이트 구조물 양 측에 구비되는 P형의 소스/드레인 영역을 포함한다. 상기 반도체 소자는 스트레서 패턴이 구비됨으로써 트랜지스터의 채널 영역에 스트레인이 인가되어 우수한 전기적 특성을 가질 수 있다.