MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

• Main Author: PYO, SUK SOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 28.11.2016
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

A memory device comprises a memory cell array and a sense amplifier. The memory cell array includes a data region and a reference region. The data region includes a data memory cells arranged between bit lines and source lines, and stores data. The reference region includes reference memory cells arranged between a reference bit line and a reference source line, and provides reference voltage based on a resistance value of a resistance circuit connected to the reference source line. The sense amplifier compares data voltage corresponding to the data with the reference voltage, so as to provide output data. According to one embodiment of the present invention, since a memory device provides a sense amplifier with reference voltage generated based on a resistance value of a resistance circuit connected to a reference source line, performance can be improved. 메모리 장치는 메모리 셀 어레이 및 센스 앰프를 포함한다. 메모리 셀 어레이는 데이터 영역 및 기준 영역을 포함한다. 데이터 영역은 비트 라인들과 소스 라인들 사이에 배치되는 데이터 메모리 셀들을 포함하고, 데이터를 저장한다. 기준 영역은 기준 비트 라인과 기준 소스 라인 사이에 배치되는 기준 메모리 셀들을 포함하고, 기준 소스 라인과 연결되는 저항 회로의 저항 값에 기초하여 기준 전압을 제공한다. 센스 앰프는 데이터에 상응하는 데이터 전압 및 기준 전압을 비교하여 출력 데이터를 제공한다. 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치는 기준 소스 라인과 연결되는 저항 회로의 저항 값에 기초하여 생성되는 기준 전압을 센스 앰프에 제공함으로써 성능을 향상시킬 수 있다.