Semiconductor device

• Main Authors: KIM, CHEOL, HA, SEUNG MO, KIM, SEONG JU, KIM, DO HYOUNG, MIRCO CANTORO, KHANG, DONG HOON, HONG, WOONG KI, KWON, TAE YONG, CHOI, YONG JOON, MUN, SEUNG JIN, YANG, CHANG JAE, KIM, WOO RAM, YOU, SO RA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 02.11.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention provides a semiconductor device improving operation properties of a transistor by using different materials in a channel layer of a PMOS and a channel layer of an NMOS. The semiconductor device includes: a compound semiconductor layer which has a first region and a second region; a first fin type pattern which protrudes from the compound semiconductor layer of the first region; and a second fin type pattern which protrudes from the compound semiconductor layer of the second region and has different material from the first fin type pattern, wherein the width of the second fin type pattern is narrower than the width of the first fin type pattern. The semiconductor device improves operation performance of the transistor. PMOS의 채널층과 NMOS의 채널층에 서로 다른 물질을 사용함으로써, 트랜지스터의 동작 성능이 개선된 반도체 장치를 제공하는 것이다. 상기 반도체 장치는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 화합물 반도체층, 상기 제1 영역의 상기 화합물 반도체층으로부터 돌출되는 제1 핀형 패턴, 및 상기 제2 영역의 상기 화합물 반도체층으로부터 돌출되고, 상기 제1 핀형 패턴과 다른 물질을 포함하는 제2 핀형 패턴으로, 상기 제2 핀형 패턴의 폭은 상기 제1 핀형 패턴의 폭보다 작은 제2 핀형 패턴을 포함한다.