THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: YANG, SU KYOUNG, YANG, CHAN WOO, SHIN, HYUNE OK, LEE, DONG MIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 13.10.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

According to an embodiment of the present invention, a thin film transistor display panel comprises: a gate line located on a first substrate wherein the gate line has a gate electrode; a semiconductor layer made of an oxide semiconductor located on the first substrate; a data wiring layer located on the first substrate wherein the data wiring layer includes a data line crossing the gate line, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode facing the source electrode; a capping layer located on the data wiring layer; a slope film located on the capping layer; and a protection film located on the slope film wherein the slope film includes a silsesquioxane based copolymer. 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 제1 기판 위에 위치하고, 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 상기 제1 기판 위에 위치하는 산화물 반도체로 형성된 반도체층, 상기 제1 기판 위에 위치하고, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선, 상기 데이터선에 연결되어 있는 소스 전극 및 상기 소스 전극과 마주보는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선층, 상기 데이터 배선층 위에 위치하는 캐핑층, 상기 캐핑층 위에 위치하는 경사막 및 상기 경사막 위에 위치하는 보호막을 포함하고, 상기 경사막은 실세스퀴옥산(silsesquioxane)계 공중합체를 포함한다.