SILICON NITRIDE FILM FORMING METHOD AND SILICON NITRIDE FILM FORMING APPARATUS

• Main Author: SATO HIDENOBU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 28.09.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a silicon nitride film forming method and a silicon nitride film forming apparatus for improving wet etching resistance. The silicon nitride film forming method comprises: an accommodating process for accommodating a semiconductor wafer (W) within a reaction chamber (2); a silicon nitride forming process for forming a silicon nitride film on the semiconductor wafer (W) accommodated within the reaction chamber (2); a carbon purging process for carbon-terminating a surface of the silicon nitride film by supplying a hydrocarbon compound having an unsaturated bond into the reaction chamber; and an unloading process for unloading the semiconductor wafer (W), on which the silicon nitride film having the carbon-terminated surface is formed, out of the reaction chamber (2). 웨트 에칭 내성을 향상시킬 수 있는 실리콘 질화막의 형성 방법, 및, 실리콘 질화막의 형성 장치를 제공한다. 실리콘 질화막의 형성 방법은, 반응관(2) 내에 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 수용 공정과, 반응관(2) 내에 수용된 반도체 웨이퍼(W)에 실리콘 질화막을 형성하는 실리콘 질화막 형성 공정과, 반응관(2) 내에 불포화 결합을 포함하는 탄화수소 화합물을 공급하여, 형성된 실리콘 질화막의 표면을 탄소 종단하는 탄소 퍼지 공정과, 표면이 탄소 종단된 실리콘 질화막이 형성된 반도체 웨이퍼(W)를 반응관(2) 밖으로 반출하는 반출 공정을 구비하고 있다.