GAS INJECTION APPARATUS AND THIN FILM DEPOSITION EQUIPMENT INCLUDING THE SAME
The present invention provides a gas injection device capable of enhancing absorption efficiency of a gas on a substrate. The gas injection device comprises: a base plate; a first gas separation region on the base plate; first and second source gas supply regions adjacent to both sides of the first...
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| Format | Patent |
| Language | English Korean |
| Published |
28.07.2016
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| Abstract | The present invention provides a gas injection device capable of enhancing absorption efficiency of a gas on a substrate. The gas injection device comprises: a base plate; a first gas separation region on the base plate; first and second source gas supply regions adjacent to both sides of the first gas separation region in a circumferential direction on the base plate and configured to supply a source gas; and a first reaction gas supply region not arranged between the first gas separation region and the first source gas supply region and between the first gas separation region and the second source gas supply region and configured to supply a reaction gas.
기판 상에 가스의 흡착 효율을 강화할 수 있는 가스 주입 장치를 제공하는 것이다. 상기 가스 주입 장치는 베이스 판, 상기 베이스 판 상의 제1 가스 분리 영역, 상기 베이스 판 상에, 원주(circumferential) 방향으로 상기 제1 가스 분리 영역의 양측에 인접하고, 소오스 가스를 제공하는 제1 및 제2 소오스 가스 공급 영역, 및 상기 베이스 판 상에, 상기 제1 가스 분리 영역 및 제1 소오스 가스 공급 영역 사이와, 상기 제1 가스 분리 영역 및 상기 제2 소오스 가스 공급 영역 사이에 비배치되고, 반응 가스를 제공하는 제1 반응 가스 공급 영역을 포함한다. |
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| AbstractList | The present invention provides a gas injection device capable of enhancing absorption efficiency of a gas on a substrate. The gas injection device comprises: a base plate; a first gas separation region on the base plate; first and second source gas supply regions adjacent to both sides of the first gas separation region in a circumferential direction on the base plate and configured to supply a source gas; and a first reaction gas supply region not arranged between the first gas separation region and the first source gas supply region and between the first gas separation region and the second source gas supply region and configured to supply a reaction gas.
기판 상에 가스의 흡착 효율을 강화할 수 있는 가스 주입 장치를 제공하는 것이다. 상기 가스 주입 장치는 베이스 판, 상기 베이스 판 상의 제1 가스 분리 영역, 상기 베이스 판 상에, 원주(circumferential) 방향으로 상기 제1 가스 분리 영역의 양측에 인접하고, 소오스 가스를 제공하는 제1 및 제2 소오스 가스 공급 영역, 및 상기 베이스 판 상에, 상기 제1 가스 분리 영역 및 제1 소오스 가스 공급 영역 사이와, 상기 제1 가스 분리 영역 및 상기 제2 소오스 가스 공급 영역 사이에 비배치되고, 반응 가스를 제공하는 제1 반응 가스 공급 영역을 포함한다. |
| Author | JUNG, MIN HWA KIM, KI CHUL YI, IN SUN HAN, KYU HEE WON, YU HO LEE, SEUNG HAN HEO, JIN PIL LEE, JONG CHEOL SHIN, JAE CHUL |
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| DocumentTitleAlternate | 가스 주입 장치 및 이를 포함하는 박막 증착 장비 |
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| Title | GAS INJECTION APPARATUS AND THIN FILM DEPOSITION EQUIPMENT INCLUDING THE SAME |
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