SELECTIVE DEPOSITION AND CO-DEPOSITION PROCESSES FOR FERROMAGNETIC THIN FILMS

• Main Authors: DORDI YEZDI, ANIRUDDHA JOI, ERNEST CHEN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 13.07.2016
• Subjects: ELECTRICITY

A method for selectively depositing a ferromagnetic layer on a conducting layer includes: providing a substrate including a conducting layer; preparing a solution including metal salt; adding a complexing agent to the solution; adding a reducing agent to the solution; while a temperature of the solution is less than 75 degrees, immersing the substrate in the solution for a predetermined period to deposit a ferromagnetic layer on the conducting layer by electroless deposition, wherein the ferromagnetic layer comprises one among cobalt (Co), iron (Fe) and CoFe; and after the predetermined period, removing the substrate from the solution. 도전층 상에 강자성층을 선택적으로 디포짓하기 위한 방법은, 도전층을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 금속 염을 포함하는 용액을 준비하는 단계; 착화제를 용액에 첨가하는 단계; 환원제를 용액에 첨가하는 단계; 용액의 온도가 75미만인 동안, 무전해 디포지션에 의해 도전층 상에 강자성층을 디포짓하기 위해 미리 결정된 기간 동안 기판을 용액에 침지하는 단계로서, 강자성층은 코발트 (Co), 철 (Fe) 또는 CoFe 중 하나를 포함하는, 침지하는 단계; 및 미리 결정된 기간 후에, 용액으로부터 기판을 제거하는 단계를 포함한다.