STACKED WAFER WITH COOLANT CHANNELS

내부 유체 채널들을 갖는 웨이퍼 어셈블리가 제공된다. 상기 어셈블리는, 제1 반도체 웨이퍼의 제1 표면 내에 하나 이상의 채널을 형성하고, 제1 반도체 웨이퍼의 제1 표면 상에 산화물 표면을 형성함으로써 제조된다. 산화물 표면이 제2 반도체 웨이퍼의 제1 표면 상에도 형성된다. 상기 어셈블리는 제1 반도체 웨이퍼의 제1 표면의 산화물 표면을 제2 반도체 웨이퍼의 제1 표면의 산화물 표면에 접합해서 웨이퍼 어셈블리를 형성하고 접합된 제1 및 제2 표면에 의해 규정된 에지들에서 하나 이상의 채널을 밀봉함으로써 제조된다. A wafer...

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Main Authors MILNE JASON G, KOONTZ CHRISTOPHER R, WONG TSE E
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 27.10.2015
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Abstract 내부 유체 채널들을 갖는 웨이퍼 어셈블리가 제공된다. 상기 어셈블리는, 제1 반도체 웨이퍼의 제1 표면 내에 하나 이상의 채널을 형성하고, 제1 반도체 웨이퍼의 제1 표면 상에 산화물 표면을 형성함으로써 제조된다. 산화물 표면이 제2 반도체 웨이퍼의 제1 표면 상에도 형성된다. 상기 어셈블리는 제1 반도체 웨이퍼의 제1 표면의 산화물 표면을 제2 반도체 웨이퍼의 제1 표면의 산화물 표면에 접합해서 웨이퍼 어셈블리를 형성하고 접합된 제1 및 제2 표면에 의해 규정된 에지들에서 하나 이상의 채널을 밀봉함으로써 제조된다. A wafer assembly with internal fluid channels. The assembly is fabricated by creating one or more channels in a first surface of a first semiconductor wafer and creating an oxide surface on the first surface of the first semiconductor wafer. An oxide surface is also created on a first surface of a second semiconductor wafer. The assembly is fabricated by bonding the oxide surface of the first surface of the first semiconductor wafer to the oxide surface of the first surface of the second semiconductor wafer to create a wafer assembly and to seal the one or more channels at edges defined by the bonded first and second surfaces.
AbstractList 내부 유체 채널들을 갖는 웨이퍼 어셈블리가 제공된다. 상기 어셈블리는, 제1 반도체 웨이퍼의 제1 표면 내에 하나 이상의 채널을 형성하고, 제1 반도체 웨이퍼의 제1 표면 상에 산화물 표면을 형성함으로써 제조된다. 산화물 표면이 제2 반도체 웨이퍼의 제1 표면 상에도 형성된다. 상기 어셈블리는 제1 반도체 웨이퍼의 제1 표면의 산화물 표면을 제2 반도체 웨이퍼의 제1 표면의 산화물 표면에 접합해서 웨이퍼 어셈블리를 형성하고 접합된 제1 및 제2 표면에 의해 규정된 에지들에서 하나 이상의 채널을 밀봉함으로써 제조된다. A wafer assembly with internal fluid channels. The assembly is fabricated by creating one or more channels in a first surface of a first semiconductor wafer and creating an oxide surface on the first surface of the first semiconductor wafer. An oxide surface is also created on a first surface of a second semiconductor wafer. The assembly is fabricated by bonding the oxide surface of the first surface of the first semiconductor wafer to the oxide surface of the first surface of the second semiconductor wafer to create a wafer assembly and to seal the one or more channels at edges defined by the bonded first and second surfaces.
Author MILNE JASON G
WONG TSE E
KOONTZ CHRISTOPHER R
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