METHOD TO ETCH NON-VOLATILE METAL MATERIALS

• Main Authors: YANG WENBING, LILL THORSTEN, SINGH HARMEET, JANEK RICHARD P, SHEN MEIHUA, TAN SAMANTHA S.H, SHARMA PRITHU, MARKS JEFFREY
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.10.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for etching a stack with at least one metal layer in one or more cycles is provided. An initiation step is preformed, transforming part of the at least one metal layer into metal oxide, metal halide, or lattice damaged metallic sites. A reactive step is performed providing one or more cycles, where each cycle comprises providing an organic solvent vapor to form a solvated metal, metal halide, or metal oxide state and providing an organic ligand solvent to form volatile organometallic compounds. A desorption of the volatile organometallic compounds is performed. 하나 이상의 사이클들로 적어도 하나의 금속층을 갖는 스택을 에칭하는 방법이 제공된다. 적어도 하나의 금속층의 일부를 금속 산화물, 금속 할로겐화물, 또는 격자 손상된 금속성 사이트들 (lattice damaged metallic site) 으로 변환하는, 개시 단계가 수행된다. 하나 이상의 사이클들을 제공하는 반응 단계가 수행되고, 상기 사이클 각각은, 용매화된 금속, 금속 할로겐화물, 또는 금속 산화물 상태를 형성하도록 유기 용매 증기를 제공하는 단계; 및 휘발성 유기금속성 화합물들을 형성하기 위해 유기 리간드 용매를 제공하는 단계를 포함한다. 상기 휘발성 유기금속성 화합물들의 탈착 (desorption) 이 수행된다.