METHOD FOR GROWING AT LEAST ONE NANOWIRE FROM A LAYER OF A TRANSITION NITRIDE METAL, SAID LAYER BEING OBTAINED IN TWO STEPS

• Main Authors: AMSTATT BENOIT, HYOT BERANGERE, DUPONT FLORIAN, ARMAND MARIE FRANCOISE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.07.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

적어도 하나의 반도체 나노와이어(3)를 성장시키기 위한 방법에 있어서, 상기 성장시키기 위한 방법은, 기판(1) 상에 나노와이어(3)의 성장을 위한 결정핵생성 레이어(2)를 형성시키는 단계 및 나노와이어(3)를 성장시키는 단계를 포함한다. 결정핵생성 레이어(2)를 형성시키는 단계는, Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta로부터 선택된 전이 금속(4)의 레이어를 기판(1) 상에 증착시키는 단계와, 나노와이어(3)를 성장시키기 위한 표면을 가진 전이 금속 니트라이드 레이어를 형성하기 위하여, 전이 금속 레이어의 적어도 일부(2)를 니트라이드 반응시키는 단계를 포함한다. The process for growing at least one semiconductor nanowire (3), said growth process comprising a step of forming, on a substrate (1), a nucleation layer (2) for the growth of the nanowire (3) and a step of growth of the nanowire (3). The step of formation of the nucleation layer (2) comprises the following steps: deposition onto the substrate (1) of a layer of a transition metal (4) chosen from Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta; nitridation of at least a part (2) of the transition metal layer so as to form a transition metal nitride layer having a surface intended for growing the nanowire (3).