INPUT BUFFER FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, FLASH MEMORY DEVICE INCLUDING INPUT BUFFER

• Main Author: KANG, KYOUNG TAE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 06.07.2015
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

Disclosed are an input buffer and a flash memory device including the input buffer. The input buffer or a buffer of the flash memory device according to an embodiment of the present invention comprises: an amplifying unit for outputting an amplification signal by amplifying an inputted input signal based on a bias voltage set at a first level corresponding to a power source voltage and a standard voltage; an output unit for outputting an output signal by receiving and buffering the amplification signal; and a dynamic bias voltage generating unit for changing the bias voltage into a second level by responding to a transition of the output signal. 입력 버퍼와 입력 버퍼를 포함하는 플래쉬 메모리 장치가 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 입력버퍼 또는 플래쉬 메모리 장치의 버퍼는 전원전압 및 기준전압에 대응되어 제 1 레벨로 설정된 바이어스 전압을 기준으로, 입력되는 입력신호를 증폭하여 증폭신호로 출력하는 증폭부, 상기 증폭신호를 수신하고 버퍼링하여 출력신호를 출력하는 출력부와 상기 출력신호의 천이에 응답하여 상기 바이어스 전압을 제 2 레벨로 변화시키는 다이나믹 바이어스 전압 생성부를 포함하는 것을 특징으로 한다.