METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: KAWASAKI ATSUKO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 19.06.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of the present invention includes the steps of: forming a first wire layer to expose a first conductive layer and a first insulation layer from a surface; forming a second wire layer to expose a second conductive layer and a second insulation layer from the surface; forming a first non-bonding surface on the surface of the first insulation layer by forming a partial region of the surface of the first insulation layer including the surroundings of the first conductive layer to be lower than the surface of the first conductive layer; bonding the surface of the first conductive layer to the surface of the second conductive layer; and bonding the surface of the second insulation layer to the surface of the first insulation layer except the first non-bonding surface. 본 발명의 실시 형태의 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 제1 도전층 및 제1 절연층이 표면으로부터 노출되는 제1 배선층을 형성하고, 제2 도전층 및 제2 절연층이 표면으로부터 노출되는 제2 배선층을 형성하고, 상기 제1 절연층의 표면 중, 상기 제1 도전층의 주위를 포함하는 일부 영역을 상기 제1 도전층의 표면보다 낮게 함으로써, 상기 제1 절연층의 표면에 제1 비접합면을 형성하고, 상기 제1 도전층의 표면과 상기 제2 도전층의 표면을 접속함과 함께, 상기 제1 비접합면을 제외한 상기 제1 절연층의 표면과 상기 제2 절연층의 표면을 접합한다.