HIGH ENERGY ION IMPLANTING DEVICE, BEAM CURRENT REGULATING DEVICE, AND BEAM CURRENT REGULATING METHOD

• Main Authors: KATO KOUJI, INADA KOUJI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.05.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

The present invention relates to a high energy ion implanting device, beam current regulating device, and beam current regulating method. For example, an implantation beam current is regulated in the high energy ion implanting device. A beam current regulating device (300) for the ion implanting device includes: a variable aperture (302) which is arranged in a convergence point (P) or near the convergence point of an ion beam. The variable aperture (302) regulates the width of the beam of the direction which is vertical to the convergence direction of the ion beam in the convergence point (P) to regulate the implantation beam current. The variable aperture (302) is arranged behind a mass analysis slit (22b). The beam current regulating device (300) is installed in the high energy ion implanting device (100) which includes a high energy multi-step linear accelerating unit (14). 예를 들면 고에너지 이온주입장치에 있어서 주입빔전류를 조정한다. 이온주입장치를 위한 빔전류조정장치(300)는, 이온빔의 수렴점(P) 또는 그 근방에 배치되어 있는 가변애퍼추어(302)를 구비한다. 가변애퍼추어(302)는, 주입빔전류를 제어하기 위하여, 수렴점(P)에 있어서의 이온빔의 수렴방향에 수직인 방향의 빔폭을 조정하도록 구성되어 있다. 가변애퍼추어(302)는, 질량분석슬릿(22b)의 바로 뒤쪽에 배치되어 있어도 된다. 빔전류조정장치(300)는, 고에너지 다단직선가속유닛(14)을 가지는 고에너지 이온주입장치(100)에 설치되어 있어도 된다.