DISK FARADAY OF A ION IMPLANTER

PURPOSE: A disc faraday of ion implantation equipment is provided to be capable of vertically supplying ion beam to a wafer for reducing the shift phenomenon of a resist sheet and stably carrying out an ion implantation process. CONSTITUTION: A disc faraday of ion implantation equipment is provided...

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Main Author SONG, YEONG SU
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 17.04.2004
Edition7
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Summary:PURPOSE: A disc faraday of ion implantation equipment is provided to be capable of vertically supplying ion beam to a wafer for reducing the shift phenomenon of a resist sheet and stably carrying out an ion implantation process. CONSTITUTION: A disc faraday of ion implantation equipment is provided with a faraday cup(10) connected to the rear portion of a faraday hole and a magnet(20) installed at the side inner wall of the faraday cup for pulling ion beam supplied through the faraday hole and supplying current to a dose integration controller(6). The disc faraday further includes four ion beam current reading sensors(30) protruded from the magnet for generating the current in proportion to the volume of impact ions and a mass analyzer magnetic field controller(40) for adding or subtracting the magnetic field of a mass analyzer(3) according to the current generated from the ion beam current reading sensors. 본 발명은 이온주입장비의 디스크 패러데이에 관한 것으로서, 소스 헤드(1)로부터 추출되어 질량분석기(3)를 거쳐 정량 분석된 이온빔을 주입하는 복수의 웨이퍼가 장착된 디스크(4)의 패러데이 홀(4a) 후측에 설치되어 패러데이 홀(4a)을 통해 입사되는 이온빔의 이온량에 비례하는 전류를 발생시켜 도즈 적분 콘트롤러(6)로 공급하는 이온주입장비의 디스크 패러데이에 있어서, 디스크(4)의 패러데이 홀(4a) 후측에 입구측이 결합되는 패러데이 컵(10)과; 패러데이 컵(10)의 내부 측면에 설치되며, 패러데이 홀(4a)을 통해 입사되는 이온빔을 끌어당겨서 충돌되는 이온량에 비례하는 전류를 발생시켜 도즈 적분 콘트롤러(6)로 공급하는 마그넷(20)과; 패러데이 컵(10)의 내부에 마그넷(20)으로부터 각각 돌출되어 패러데이 홀(4a)을 통해 입사되는 이온빔 경로의 상하 및 좌우에 각각 위치하며, 충돌되는 이온빔의 이온량에 비례하는 전류를 각각 발생시키는 네 개의 이온빔 커런트 리딩센서(30)와; 이온빔 커런트 리딩센서(30)로부터 발생되는 전류를 각각 공급받아 이온빔이 패러데이 홀(4a)의 중심으로부터 벗어난 방향 및 정도를 산출하여 이온빔이 패러데이 홀(4a)의 중심에 위치하도록 질량분석기(3)의 자장을 가감시키는 질량분석기 자장콘트롤러(40)를 포함하며, 이온빔이 패러데이 홀의 중심을 통과하도록 함으로써 이온빔이 웨이퍼에 수직되게 입사하도록 하여 Rs의 시프트현상을 감소시키는 효과를 가지고 있다.
Bibliography:Application Number: KR20020061531