THIN FILM MAGNETIC MEMORY DEVICE FOR WRITING DATA OF A PLURALITY OF BITS IN PARALLEL

• Main Author: OOISHI TSUKASA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 27.06.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

PURPOSE: To provide an MRAM device into which write data having a plurality of bits are written in parallel with low power consumption. CONSTITUTION: A bit line BL and a current feedback wiring RL are arranged for each memory cell column. A plurality of selection bit lines selected to respectively write data having a plurality of bits are serially connected to one current path and receives a supply of bit line writing currents. When different level data are written between adjacent selection bit lines, one end sides of the selection bit lines or the other end sides are connected together and the bit line writing currents are transmitted to the adjacent selection bit lines. When same level data are written between adjacent selection bit lines, on the other hand, the bit line writing currents are folded over using the corresponding current feedback wiring RL and the bit line writing currents are transmitted to a next selection bit line. 각 메모리 셀 열마다, 비트선 BL 및 전류 귀환 배선 RL이 배치된다. 복수 비트의 기입 데이터를 각각 기입하기 위해 선택되는 복수의 선택 비트선은, 1개의 전류 경로에 직렬로 접속되어, 비트선 기입 전류의 공급을 받는다. 인접하는 선택 비트선을 통하여 서로 다른 레벨의 데이터가 기입되는 경우에는, 선택 비트선의 일단측끼리 혹은 타단측끼리 접속하여, 인접하는 선택 비트선으로 비트선 기입 전류를 전달한다. 한편, 인접하는 선택 비트선을 통하여 동일한 레벨의 데이터가 기입되는 경우에는, 대응하는 전류 귀환 배선 RL을 이용하여 비트선 기입 전류를 반환한 후에, 다음의 선택 비트선으로 비트선 기입 전류를 전달한다.