EXPOSURE METHOD AND EXPOSURE SYSTEM FOR THE SAME

• Main Authors: YAMAZAKI TETSUYA, MIWA TOSHIHARU, YOSHITAKE YASUHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.06.2002
• Edition: 7
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: Disclosed are a method for lithographic processing of semiconductor devices and an exposure system for use in that process that has a means for calculating the margins of exposure energy and focus, as well as for calculating the optimum values of exposure energy and focus offset. CONSTITUTION: An exposure device group(1) is configured with at least two exposure devices(2). The exposure devices(2) are devices having an optical projection system for pattern transfer. The exposure device group(1) is connected to a data computation station(3) including an exposure parameter, a calculation processing portion(4), an exposure device assignment processing portion(5), an input/output interface(6), and a database portion(7). Moreover, the exposure device group(1) is connected to a fabrication control system(10) for controlling the overall semiconductor device fabrication line. During the exposure processing, the semiconductor device type, process step and wafer name can be entered by reading a serial number provided on the wafer, and sent over a network from the fabrication control system(10). A reticle set(8) that is made of at least two reticles(9) is connected to the data computation station(3) and the fabrication control system(10). 반도체 장치 제조를 위한 노광 처리에서, 노광 장치들 간의 장치 차이로 인한 변동이 크기 때문에, 노광 파라미터들을 추출하는 작업은 각각의 노광 장치에 대해 테스트 웨이퍼를 사용해서 노광 에너지 및 포커스 오프셋을 계산함으로써 실행된다. 다품종 소량 생산으로 반도체 장치를 제조하는 경우, 노광 파라미터들을 추출하는 작업이 실행되어야만 하는 회수가 증가해서, 노광 장치들의 가동률이 감소되고, 반도체 장치의 TAT가 증가한다. 또한, 반도체 장치의 소형화가 진전됨에 따라, 노광 장치들 간의 장치 차가 노광 처리로 인한 결함을 야기하고, 반도체 장치 제조 수율이 감소된다. 반도체 장치들을 위한 노광 처리에서, 선정된 다수의 노광 장치들의 투영 렌즈 수차들을 사용하는 노광 장치 및 광 투영 시스템의 조명 파라미터들, 포토레지스트 파라미터들 및 회로 패턴 정보에 따른 노광 에너지 및 포커스 오프셋은 광 현상 시뮬레이터(optical development simulator)를 사용해서 계산되고, 노광 처리는 다수의 노광 장치들 중에서 프로세스 윈도우가 특정한 허용오차 내에 있는 노광 장치를 사용해서 실행된다.