PMOS-diode type eFuse One-Time programmable cell

• Main Authors: JIN HONG ZHOU, KIM, YOUNG HEE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

The present invention relates to a PMOS-diode type eFuse one-time programmable (OTP) cell. The eFuse OTP cell comprises a PMOS transistor formed in an N-well and an eFuse link, and the e-fuse link is blown with a junction diode parasitic in the PMOS transistor. The present invention consists of the PMOS transistor (MP1) formed in the N-well (12) formed on a substrate (11) and the eFuse link connected to a source node (ps) of the PMOS transistor (MP1), and the e-fuse link of the eFuse OTP cell is blown in a program mode with the junction diode parasitic between the N-well as a body of the PMOS transistor and a p+diffusion layer, thereby reducing process unit costs in a CMOS process and implementing the small size of a cell to be the same as an NMOS transistor. 본 발명은 피모스-다이오드 형태의 이퓨즈 오티피 셀에 관한 것으로, 엔웰 안에 형성된 피모스 트랜지스터와 이퓨즈 링크로 이퓨즈 오티피 셀을 구성하고, 피모스 트랜지스터에서 기생되는 접합 다이오드로 이퓨즈 링크를 블로잉하기 위한 것이다. 이를 위하여 본 발명은 기판(11)에 형성된 엔웰(12) 안에 형성되는 피모스 트랜지스터(MP1)와, 피모스 트랜지스터(MP1)의 소스 노드(ps)에 연결되는 이퓨즈 링크로 구성하여, 피모스 트랜지스터의 바디인 엔웰과 p+ 확산층 사이에 기생되는 접합 다이오드로 프로그램 모드에서 해당 이퓨즈 오티피 셀의 이퓨즈 링크를 블로잉할 수 있도록 하여, 시모스 공정에서의 공정 단가를 줄일 수 있고 셀 사이즈를 엔모스 트랜지스터와 동일하게 소형으로 구현할 수 있게 한다.