METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE ELECTRODE SPACER MADE OF NITRIDE

• Main Author: JUNG, JAE GWAN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 18.09.2004
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor device is provided to improve refresh properties of a DRAM(Dynamic Random Access Memory) cell by preventing the influence of a storage node electrode on a gate electrode using a gate electrode spacer made of a material with high etch selectivity. CONSTITUTION: A plurality of gate electrodes are formed on a semiconductor substrate(1). A gate spacer is formed at both sidewalls of each gate electrode. A first interlayer dielectric(9) with a bit line electrode is formed thereon. A bit line spacer is formed at both sidewalls of the bit line electrode. A second interlayer dielectric(13) is formed thereon. A plurality of contact holes for exposing the substrate to the outside are formed by etching selectively the second and first interlayer dielectrics. A storage node electrode(15) is filled in each contact hole. The gate spacer is made of a nitride layer. 본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 제조공정중 게이트 전극 스페이서를 식각 선택비가 높은 물질을 이용하여 전하 보존 전극의 콘택을 의도적으로 셀 트랜지스트의 게이트에서 멀리 떨어지게 하여 전하 보존 전극의 고농도로 도핑된 폴리가 확산되더라도 고농도 N+ 정션이 게이트 전극까지 도달하지 못하도록 함으로써 GIDL 전류를 감소시킴에 의해 디램 셀의 리프레쉬 특성을 향상시킬 수 있고, 이로 인해 반도체 소자의 제조공정 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.