ELECTROSTATIC HEAT JUNCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

• Main Authors: CHOI, U BEOM, OH, MYEONG HWAN, JU, BYEONG GWON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.07.2001
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: An electrostatic heat junction method of a semiconductor substrate is provided to adhere one silicon substrate to the other silicon substrate or one silicon substrate to a glass substrate under a low temperature and a low voltage by using an electron beam deposition device having a high depositing speed. CONSTITUTION: A power supply portion(2) is used for applying a supply voltage to an N type silicon substrate(1) and a silicon substrate(2) including a glass film. A heating portion(4) is used for heating the silicon substrate(2) including the glass film according to a control operation of a thermal control portion(5). The N type silicon substrate(1) and the silicon substrate(2) including the glass film are adhered to each other by applying the voltage and the heat the N type silicon substrate(1) and the silicon substrate(2) including the glass film. 본 발명은 반도체 기판의 정전 열 접합방법에 관한 것으로, 종래 반도체 기판의 정전 열 접합방법은 스퍼터링을 이용하여 유리박막을 증착시키는데 상당한 시간이 걸려 실제 제품생산에 이용하는데는 한계가 있는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 유리와 산화막을 혼합하여 증착의 소스를 제조하는 단계와; 상기 증착의 소스를 사용하는 전자선 증착기를 이용해 실리콘기판위에 유리박막을 증착하는 단계와; 상기 유리박막이 증착된 실리콘기판과 실리콘기판에 일정시간동안 소정의 전압 및 기판온도를 인가하여 실리콘기판과 유리박막이 증착된 실리콘기판을 접합시키는 단계로 이루어져 전자선 증착기를 사용하여 유리박막의 증착속도를 증가시킴으로써, 실제 제품의 제조효율을 증가시키는 효과와 아울러 특정한 가스분위기를 사용하지 않게 됨으로써 증착의 소스와 실제 증착되는 유리박막의 특성이 동일하여 제품의 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.