WAFER MANUFACTURING METHOD

• Main Author: ARIFUKU NORIHISA
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 15.12.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a wafer manufacturing method capable of suppressing an increase in man-hours of an operator and removing residues remaining on a chuck table.SOLUTION: A wafer processing method for manufacturing a wafer composed of SiC or GaN by polishing it with a polishing pad comprises a polishing step 1002 and a residue cleaning step 1003. The polishing step polishes the wafer with the polishing pad while supplying an acidic polishing solution containing permanganate, acidic inorganic salt, and water to a wafer held on a holding surface of the chuck table. The residue cleaning step reduces a component (manganese dioxide) of the residual acidic polishing solution to water-soluble manganese by supplying a process liquid containing acidic inorganic salt, hyperhydration, and water to the holding surface of the chuck table instead of the acidic polishing solution and promotes the removal of the residues after performing the polishing step (1002).SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】オペレータの工数が増加することを抑制しながらもチャックテーブルに残留した残留物を除去することができるウェーハの製造方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの製造方法は、ＳｉＣまたはＧａＮからなるウェーハを研磨パッドで研磨してウェーハを製造するウェーハの製造方法であって、チャックテーブルの保持面に保持したウェーハに、過マンガン酸塩と酸性無機塩と水とを含む酸性研磨液を供給しながら研磨パッドでウェーハを研磨する研磨ステップ１００２と、研磨ステップ１００２実施後、酸性研磨液に代わって、チャックテーブルの保持面に、酸性無機塩と過水と水とを含む処理液を供給することで、残留した該酸性研磨液の成分（二酸化マンガン）を還元し水溶性マンガンにして除去を促進する残留物洗浄ステップ１００３と、を備える。【選択図】図２