INDUCTIVE DEVICE

• Main Authors: CHEN YANG, VICTOR CHIANG LIANG, LIU CHUN MING, TSENG HUANG-WEN, CHOU WEI-YU, RIN SHINKA
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 10.02.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRICITY; INDUCTANCES; MAGNETS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES; TRANSFORMERS

To provide an inductive device capable of reducing variation in magnetic leakage paths in the inductive device and per inductive device.SOLUTION: An inductive device 200 includes an insulation layer 102, and a lower magnetic layer 108a and an upper magnetic layer formed such that the insulation layer does not separate the lower magnetic layer and the upper magnetic layer at an edge or a wing of the inductive device. The lower magnetic layer 108a and the upper magnetic layer 108b form a continuous magnetic layer surrounding the insulation layer and the conductors of the inductive device 200. A magnetic leakage path is formed by forming an opening 110 in the upper magnetic layer 108b. The opening 110 may be formed through the upper magnetic layer 108b by semiconductor processing with relatively higher precision and accuracy compared to semiconductor processing for forming an insulation layer such as spin coating. This can reduce variation in the magnetic leakage paths in the inductive device and per inductive device.SELECTED DRAWING: Figure 2J 【課題】誘導装置内及び誘導装置毎への磁性漏れ経路のばらつきを低減した誘導装置を提供する。【解決手段】誘導装置２００は、絶縁層１０２、誘導装置のエッジ又はウィングにおいて、絶縁層が下部磁性層と上部磁性層とを分離しないように形成された下部磁性層１０８ａ及び上部磁性層を含む。下部磁性層１０８ａ及び上部磁性層１０８ｂは、誘導装置２００の絶縁層及び導電体を囲む連続した磁性層を形成する。上部磁性層１０８ｂに開口部１１０を形成することにより、磁性漏れ経路が形成される。開口部１１０は、スピンコーティングなどの絶縁層を形成するための半導体処理と比較して、相対的な高精度、かつ、高い正確さの半導体処理によって上部磁性層１０８ｂを通過して形成することができる。これにより、誘導装置内及び誘導装置毎への磁性漏れ経路のばらつきを低減することができる。【選択図】図２Ｊ