PEAK AND AVERAGE CURRENT REDUCTION FOR SUB-BLOCK MEMORY OPERATION

• Main Authors: LIEN YUUNG, TSENG HUAI-YUAN, SARATH PUTHENTHERMADAM
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 07.10.2021
• Subjects: ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

To provide a non-volatile memory device that reduces peak and average current for sub-block memory operation and an operation method of the non-volatile memory device.SOLUTION: A device includes a block of memory cells arranged in strings and connected to word lines overlying one another in a stack. The block is divided into first and second sub-blocks programmed as a whole in a sub-block mode and includes a particular group connected to a particular word line. A control circuit determines whether one of the first and second sub-blocks is not programmed based on whether the particular group being read is in the second sub-block. The control circuit applies an adjusted read voltage to the word lines of the one of the first and second sub-blocks while reading the particular group based on whether the one of the first and second sub-blocks is not programmed.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】サブブロックメモリ動作のためのピーク及び平均電流を低減する不揮発性メモリ装置及び不揮発性メモリ装置の動作方法を提供する。【解決手段】装置は、ストリング内に配置され、スタック内で互いに重なるワード線に接続されたメモリセルのブロックを含む。ブロックは、サブブロックモードでは全体としてプログラムされた第１及び第２のサブブロックに分割され、特定のワード線に接続された特定のグループを含む。制御回路は、読み取られている特定のグループが第２のサブブロック内にあるかどうかに基づいて、第１及び第２のサブブロックのうちの１つがプログラムされていないかどうかを判定する。制御回路は、第１及び第２のサブブロックのうちの１つがプログラムされていないかどうかに基づいて、特定のグループを読み取る間に、調整された読み出し電圧を第１及び第２のサブブロックのうちの１つのワード線に印加する。【選択図】図１