SEMICONDUCTOR MEMORY, AND METHOD OF DEFINING DATA IN SEMICONDUCTOR MEMORY

• Main Author: NAGASE HIROKAZU
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 06.06.2019
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

To provide a semiconductor memory capable of storing multi-value data while suppressing an increase in threshold voltage set in a memory cell.SOLUTION: A semiconductor memory according to one embodiment comprises a plurality of memory cell pairs having a first memory cell and a second memory cell. The first memory cell is configured to allow at least one threshold voltage Vth1 to be set, the second memory cell is configured to allow a plurality of threshold voltages Vth2-Vth4 to be set. Each data stored in the memory cell pairs is defined using each difference between each threshold voltage Vth2-Vth4 of the second memory cell and the threshold voltage Vth1 of the first memory cell.SELECTED DRAWING: Figure 4 【課題】メモリセルに設定する閾値電圧が高くなることを抑制しつつ多値データを格納可能な半導体記憶装置を提供することである。【解決手段】一実施の形態にかかる半導体記憶装置は、第１のメモリセルと第２のメモリセルとを備えるメモリセル対を複数有する。第１のメモリセルは少なくとも１つの閾値電圧Ｖｔｈ１を設定可能に構成されており、第２のメモリセルは複数の閾値電圧Ｖｔｈ２〜Ｖｔｈ４を設定可能に構成されている。メモリセル対に格納される各々のデータは、第２のメモリセルの各々の閾値電圧Ｖｔｈ２〜Ｖｔｈ４と第１のメモリセルの閾値電圧Ｖｔｈ１との各々の差を用いて定義される。【選択図】図４