SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: OTA HIROSHI, OKUHATA TAKASHI, ONO SHOTARO, SAEKI SHUICHI, ISHIBASHI HIROSHI, IZUMISAWA MASARU
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 29.09.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which can inhibit fluctuation in voltage withstanding in a termination region.SOLUTION: A semiconductor device according to an embodiment has a first conductivity type first semiconductor region, a second conductivity type second semiconductor region, a first conductivity type third semiconductor region, a first electrode, a first insulation layer and a second electrode. The first semiconductor region has a first region and a second region. The second region is provided around the first region. The second semiconductor region is provided on the first semiconductor region. The third semiconductor region is provided on the first semiconductor region. The first electrode is provided on the third semiconductor region. The first electrode is electrically connected with the third semiconductor region. The first insulation layer is provided on the firsts electrode. The second electrode is provided on the second semiconductor region. The second electrode is electrically connected with the second semiconductor region. A part of the second electrode is located on the first insulation layer.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】終端領域における耐圧の変動を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第１導電形の第１半導体領域と、第２導電型の第２半導体領域と、第１導電形の第３半導体領域と、第１電極と、第１絶縁層と、第２電極と、を有する。第１半導体領域は、第１領域と第２領域を有する。第２領域は、第１領域の周りに設けられている。第２半導体領域は、第１半導体領域の上に設けられている。第３半導体領域は、第１半導体領域の上に設けられている。第１電極は、第３半導体領域の上に設けられている。第１電極は、第３半導体領域と電気的に接続されている。第１絶縁層は、第１電極の上に設けられている。第２電極は、第２半導体領域の上に設けられている。第２電極は、第２半導体領域と電気的に接続されている。第２電極の一部は、第１絶縁層の上に位置している。【選択図】図２