Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque à contacts passivés

• Main Authors: CABAL, Raphaël, MARTEL, Benoît
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 12.08.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ce procédé comporte les étapes successives : a) prévoir une structure comprenant : - un substrat (1) à base de silicium cristallin, présentant une première surface (10) et une seconde surface (11) opposée comportant chacune une zone polie (ZP) et une zone texturée (ZT) ; - des premier et deuxième films d'oxyde tunnel (2a, 2b), formés respectivement sur la zone polie (ZP) des première et seconde surfaces (10, 11) ; - des première et deuxième couches de polysilicium (3a, 3b), formées respectivement sur les premier et deuxième films d'oxyde tunnel (2a, 2b) ; - des première et deuxième couches diélectriques (4a, 4b), comprenant respectivement des dopants de type p et n, formées sur les zones texturées (ZT) et respectivement sur les première et deuxième couches de polysilicium (3a, 3b) ; b) appliquer un traitement thermique pour diffuser les dopants de type p et n respectivement sous les première et seconde surfaces (10, 11) ; c) mettre en contact chacune des couches de polysilicium (3a, 3b) avec une électrode (E). Figure 1 Said method comprises the successive steps of: a) providing a structure comprising: - a substrate (1) based on crystalline silicon, having a first surface (10) and a second, opposite surface (11), each comprising a polished zone (ZP) and a textured zone (ZT); - first and second tunnel oxide films (2a, 2b), formed respectively on the polished zone (ZP) of the first and second surfaces (10, 11); - first and second layers of polysilicon (3a, 3b), formed respectively on the first and second tunnel oxide films (2a, 2b); - first and second dielectric layers (4a, 4b), comprising respectively p- and n-type dopants, formed on the textured zones (ZT) and respectively on the first and second layers of polysilicon (3a, 3b); b) applying a heat treatment in order to diffuse the p- and n-type dopants respectively under the first and second surfaces (10, 11); c) contacting each of the layers of polysilicon (3a, 3b) with an electrode (E).