PROCEDE DE FABRICATION D'UNE DIODE ELECTROLUMINESCENTE A JONCTION PN NANOSTRUCTUREE ET DIODE OBTENUE PAR UN TEL PROCEDE

• Main Authors: NOE PIERRE, MAZEN FREDERIC
• Format: Patent
• Language: French
• Published: 22.09.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS; NANOTECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ARTCOLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TRANSPORTING

Une diode électroluminescente à jonction PN nanostructurée est réalisée à partir d'un substrat (1) semi-conducteur dopé par un premier dopant et recouvert d'une couche mince diélectrique (2). Un film mince amorphe constitué par un matériau semi-conducteur dopé par un second dopant d'un type opposé à celui du premier dopant, est ensuite déposé, à la surface de la couche mince diélectrique (2). Puis, l'ensemble subit un traitement thermique destiné à former, dans la couche mince diélectrique (2), à partir du film mince amorphe, une pluralité d'îlots (5) de dimension nanométrique et en matériau semi-conducteur dopé par le second dopant. Les îlots (5) sont destinés à être en épitaxie avec le substrat (1) pour former une pluralité de jonctions PN de dimension nanométrique. Une couche mince supplémentaire (6) est, ensuite, formée, par croissance par épitaxie à partir des îlots (5).