Film photoconducteur formé d'un polymère de silane greffé, procédé de préparation, procédé de formation d'une image électrostatique mettant en Óoeuvre un tel film et valve optique comportant un tel film
La présente invention concerne un polymère de silane greffé photoconducteur à mobilité de porteurs élevée et un film photoconducteur formé d'un tel polymère. Le polymère de silane greffé répond à la formule: (CF DESSIN DANS BOPI) dans laquelle: R1 identique ou différent, est choisi parmi les ra...
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Format | Patent |
Language | French |
Published |
02.06.1995
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Edition | 6 |
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Abstract | La présente invention concerne un polymère de silane greffé photoconducteur à mobilité de porteurs élevée et un film photoconducteur formé d'un tel polymère. Le polymère de silane greffé répond à la formule: (CF DESSIN DANS BOPI) dans laquelle: R1 identique ou différent, est choisi parmi les radicaux alkyle inférieur, R2 est notamment un radical alkyle inférieur, phényle ou -A-Het, A étant une simple liaison, une chaîne divalente à électrons pi délocalisés, un noyau 1,2- ou 1,3- ou 1,4 phénylène, Het étant notamment un radical carbazolyle à la condition qu'au moins 10 % en nombre des radicaux R2 correspondent au radical -A-Het-. Application à la reproduction d'image électrostatique, notamment par un dispositif de valve optique.
Photoconductive grafted silane polymer with high carrier mobility and a photoconductive film formed from such a polymer. The grafted silane polymer corresponds to the formula: in which: R1, which is identical or different, is chosen from lower alkyl radicals, R2 is especially a lower alkyl, phenyl or -A-Het radical, A being a single bond, a divalent chain with delocalised pi electrons, a 1,2- or 1,3- or 1,4-phenylene nucleus, Het being especially a carbazolyl radical, provided that at least 10 % of the number of the radicals R2 correspond to the -A-Het- radical. Application to electrostatic image reproduction, especially using an optical valve device. |
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AbstractList | La présente invention concerne un polymère de silane greffé photoconducteur à mobilité de porteurs élevée et un film photoconducteur formé d'un tel polymère. Le polymère de silane greffé répond à la formule: (CF DESSIN DANS BOPI) dans laquelle: R1 identique ou différent, est choisi parmi les radicaux alkyle inférieur, R2 est notamment un radical alkyle inférieur, phényle ou -A-Het, A étant une simple liaison, une chaîne divalente à électrons pi délocalisés, un noyau 1,2- ou 1,3- ou 1,4 phénylène, Het étant notamment un radical carbazolyle à la condition qu'au moins 10 % en nombre des radicaux R2 correspondent au radical -A-Het-. Application à la reproduction d'image électrostatique, notamment par un dispositif de valve optique.
Photoconductive grafted silane polymer with high carrier mobility and a photoconductive film formed from such a polymer. The grafted silane polymer corresponds to the formula: in which: R1, which is identical or different, is chosen from lower alkyl radicals, R2 is especially a lower alkyl, phenyl or -A-Het radical, A being a single bond, a divalent chain with delocalised pi electrons, a 1,2- or 1,3- or 1,4-phenylene nucleus, Het being especially a carbazolyl radical, provided that at least 10 % of the number of the radicals R2 correspond to the -A-Het- radical. Application to electrostatic image reproduction, especially using an optical valve device. |
Author | MOISAN JEAN-YVES SEPULCHRE MAURICE LEMMER MARC SPASSKY NICOLAS |
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Title | Film photoconducteur formé d'un polymère de silane greffé, procédé de préparation, procédé de formation d'une image électrostatique mettant en Óoeuvre un tel film et valve optique comportant un tel film |
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